摘要：［目的］針對電子封裝領(lǐng)域?qū)Ω邔嵬繉硬牧系男枨螅劢菇饎偸?銅（Cu）涂層因界面結(jié)合差而制約其導熱性能這一問題，開展了涂層熱導率優(yōu)化與界面調(diào)控研究。［方法］基于COMSOL有限元軟件，建立了金剛石/Cu涂層三維仿真模型，系統(tǒng)模擬了金剛石粒徑（50～300 μm）與碳化硅（SiC）界面層厚度（1～10 μm）對涂層熱導率的影響規(guī)律。［結(jié)果］結(jié)果表明：涂層熱導率隨金剛石粒徑增加呈先升后降的變化趨勢，在粒徑為250 μm時達到峰值，為296 W/ （m · K）；SiC界面層厚度亦存在最佳調(diào)控區(qū)間，在厚度為3 μm時，涂層熱導率為463 W/ （m · K）。［結(jié)論］為驗證SiC對涂層的界面改善效果，進一步開展了實驗制備，通過SEM形貌分析表明：引入Si原位生成SiC界面層后，金剛石與Cu基體間的界面孔隙減少、結(jié)合更為致密，從微觀尺度直接證實了SiC層對界面結(jié)合的改善作用。本研究為電子封裝用高性能金剛石/Cu涂層的設(shè)計提供了理論依據(jù)與參考。